Raskas kupari AMB-keraamisten piirilevyjen valmistus
AMB-keraamisissa piirilevyissä käytetään aktiivista metallijuotetta paksun kuparin liittämiseen suoraan keraamisiin alustoihin – luoden vahvimman tällä hetkellä tuotannossa olevan kupari-keraaminen rajapinnan. Juotosprosessissa käytetään Ag-Cu-Ti-seosta 800–900 °C:ssa tyhjiössä; aktiivinen titaanielementti kostuttaa keraamisen pinnan ja muodostaa todellisen metallurgisen sidoksen, joka kestää lämpövaihteluita, joissa DBC- ja DPC-liitokset lopulta pettävät.
Tämä sidoslujuus on syy siihen, miksi AMB:stä on tullut hallitseva metallointitekniikka piinitridi (Si₃N₄) -keraamisille alustoille – ja miksi Si₃N₄:n ja AMB:n yhdistelmä on nyt standardialusta seuraavan sukupolven SiC- ja GaN-tehomoduuleille sähköajoneuvojen vetoinverttereissä, teollisuuskäytöissä ja uusiutuvan energian järjestelmissä.
Highleap Electronics valmistaa AMB-keraamisia piirilevyjä Si₃N₄- ja AlN-alustoille, joiden kuparin paksuus on 0.15 mm - 0.8 mm. Tarjoamme integroituja keraamisten piirilevyjen kokoonpano- ja tehomoduulien testausominaisuuksiimme.
AMB-keraaminen piirilevy — tärkeimmät tekniset tiedot
- Juotosseos: Ag-Cu-Ti (aktiivinen metallin juottaminen 800–900 °C:ssa tyhjiössä)
- Pohjamateriaalit: Si3N4 (ensisijainen), AIN, Al2O3
- Kuparin paksuus: 0.15 mm - 0.8 mm sivua kohden
- Sidoskuorintalujuus: ≥20 N/cm² (Si₃N₄ AMB tyypillisesti ylittää 30 N/cm²)
- Lämpösyklin kestävyys: Si₃N₄ AMB: yli 30 000 sykliä –55–+250 °C:ssa
- Tyypillisiä sovelluksia: SiC/GaN sähköautojen invertterit, IGBT-moduulit, teollisuusmoottorit, uusiutuvan energian muuntimet
Pyydä tarjous AMB-keraamisista piirilevyistä →
Sisällysluettelo
Miten AMB-prosessi toimii
Aktiivinen metallin juottaminen eroaa perustavanlaatuisesti DBC:stä. DBC:ssä kupari sitoutuu keraamiin noin 1 065 °C:ssa muodostuvan kuparioksidieutektisen kerroksen kautta – keraamin on oltava oksidi (alumiinioksidi) tai siinä on oltava oksidia muodostava pinta, jotta DBC toimisi luotettavasti. Tämä rajoittaa DBC:n tehokkuutta ei-oksidikeraamien, kuten Si₃N₄:n, kanssa.
AMB ratkaisee tämän lisäämällä kovajuotosseokseen aktiivista metallia – titaania. Juotoslämpötilassa (800–900 °C) tyhjiössä tai inertissä ilmakehässä titaani reagoi suoraan keraamisen pinnan kanssa muodostaen ohuen reaktiokerroksen (tyypillisesti TiN Si₃N₄:n päällä tai TiO Al₂O₃:n päällä), jonka sula Ag-Cu-juotos kostuttaa. Tuloksena on metallurginen sidos kuparin ja keraamin välille, joka ei ole riippuvainen oksidin muodostumisesta.
AMB:n valmistusjärjestys:
AMB vs. DBC: Kun kumpikin teknologia on oikea valinta
AMB ei ole universaali korvaaja DBC:lle – se on päivitys sovelluksiin, joissa DBC saavuttaa luotettavuus- tai kuparin paksuusrajansa. Valinta niiden välillä riippuu suunnittelun erityisrajoituksista.
Käytä DBC:tä, kun: tehomoduulissasi käytetään alumiinioksidia tai AlN-substraattia, lämpösyklien vaatimus on alle ~5 000 sykliä ja kuparin paksuus 600 µm tai vähemmän on riittävä. AlN DBC -substraatit ovat edelleen kustannustehokas valinta IGBT-moduuleille teollisuus-UPS-laitteissa, hitsauslaitteissa ja aurinkoinverttereissä, joilla on kohtalainen sykliprofiili.
Käytä AMB-komposiittia, kun: suunnittelussa on määritelty Si₃N₄-substraatti (DBC ei sitoudu luotettavasti Si₃N₄:iin), lämpösyklien käyttöikä ylittää 10 000 sykliä, lämpötilan vaihtelu (ΔT) ylittää 200 °C tai virrankäsittelyyn vaaditaan yli 600 µm:n kuparin paksuus. Nämä ehdot koskevat useimpia autoteollisuuden SiC/GaN-vetoinverttereitä ja seuraavan sukupolven teollisuuskäyttöjä.
AMB-keraamisten piirilevyjen alustan valinta
Si₃N₄ — auto- ja sähköautojen vallitseva AMB-substraatti
Piinitridin murtumissitkeys (700–1 000 MPa) vaimentaa paksun kuparin laajenemisen aiheuttamaa termomekaanista rasitusta lämpösyklien aikana. Si₃N₄:n ja AMB:n yhdistelmä täyttää jatkuvasti AEC-Q100/Q200-lämpösyklien vaatimukset autoteollisuuden laatuvaatimuksille – tyypillisesti –55...+175 °C yli 3 000 virransyöttösyklin ajan ja –55...+250 °C yli 1 000 lämpöshokkisyklin ajan. Tämä luotettavuustaso on nyt perusvaatimus sähköautojen Tier-1-toimittajille, jotka määrittävät SiC MOSFET -moduuleja.
AlN — AMB korkeimman lämmönjohtavuuden saavuttamiseksi
Kun lämmönjohtavuus (170–200 W/m·K) on tärkeämpää kuin syklin kestävyys, AlN AMB tarjoaa parhaan lämpöreitin. AlN AMB:tä käytetään suuritehoisissa RF-vahvistimissa, tietyissä teollisissa IGBT-moduuleissa ja sovelluksissa, joissa lämmönpoisto on suunnittelubudjetin kannalta hallitseva tekijä. AlN:n alhaisempi murtumissitkeys (300–350 MPa) tarkoittaa kuitenkin, että se saavuttaa syklin rajat nopeammin kuin Si₃N₄ vastaavassa rasituksessa – kompromissi on terminen suorituskyky vs. mekaaninen kestävyys.
AMB-kysyntää ajavat sovellukset
Sähköautojen vetoinvertterit (SiC MOSFET -moduulit)
Teollisuusmoottorikäytöt ja uusiutuvan energian muuntimet
Rautateiden vetoelektroniikka
Luotettavat ilmailu- ja puolustusteollisuuden tehomoduulit
AMB-alustojen suunnittelunäkökohdat
AMB-keraamiset piirilevyt vaativat erityistä suunnitteluhuomiota, joka eroaa DBC- ja orgaanisten piirilevyjen käytännöistä:
Kuparikuvioiden geometria vaikuttaa luotettavuuteen. Suuret, erilliset kuparisaarekkeet jyrkillä reunoilla luovat jännityskeskittymiä lämpösyklien aikana. Vältä kuparipaikkojen sivusuhteita, jotka ylittävät 5:1. Kuparipintojen kulmasäteiden tulisi olla ≥0.5 mm jännityskeskittymien vähentämiseksi. Keraamisten piirilevyjen suunnitteluohjeissa nämä säännöt on esitetty erityisillä mittakynnyksillä.
Tasapainotettu kupari molemmilla puolilla vähentää vääntymistä. Epätasainen kuparin paksuus ylä- ja alapinnoilla luo epäsymmetrisiä lämpölaajenemisvoimia juottamisen ja käytön aikana, mikä johtaa substraatin taipumiseen. Tasapainotettu kuparin metallointi – tai hallittu kuparikuviointi takapuolella – pitää substraatin tasaisena kaikkien lämpötilan vaihteluiden aikana.
Juotosliitoksen suunnittelussa on otettava huomioon CTE-ero. Si₃N₄:n (~3 ppm/°C) ja komponenttijohtimien tai järjestelmäpiirilevyn (~17 ppm/°C FR4:lle) välinen CTE-ero aiheuttaa leikkausjännitystä juotosliitoksiin lämpösyklin aikana. Käytä yhteensopivia liittimiä (joustavat johdot, jousiliittimet) tai täytä liittimillä, jos CTE-eroa ei voida välttää.
Kiinnitysstrategia on ratkaisevan tärkeä. Keraaminen on haurasta – ruuvikiinnitys ilman metalliholkkeja ja vääntömomenttirajoituksia halkaisee alustan. Liimaus tai kiinnitys yhteensopivilla tyynyillä poistaa pistemäiset kuormat. Keraaminen piirilevysuunnitteluoppaamme kattaa kiinnityksen vikatyypit ja niiden ehkäisyn.
Highleapin AMB-valmistuskyvyt
Highleap Electronics — AMB:n keraamisten piirilevyjen valmistus ja kokoonpano
Valmistamme AMB-keraamisia piirilevyjä Si₃N₄- ja AlN-alustoille tehomoduulisovelluksiin. Integroidut piirilevyjen kiinnitys-, johdinten liitos- ja tehonkiertotestausominaisuudet tarkoittavat, että AMB-projektisi valmistuu saman katon alla – paljaasta alustasta testattuun moduuliin. IATF 16949 -sertifioitu autoteollisuuden ohjelmiin.
Usein Kysytyt Kysymykset
Mikä on AMB-keraaminen piirilevy?
AMB (Active Metal Brazing) -keraaminen piirilevy on piirilevy, jossa kuparifolio on liimattu keraamiseen alustaan aktiivisella juotosseoksella – tyypillisesti Ag-Cu-Ti – 800–900 °C:ssa tyhjiössä. Titaani reagoi keraamisen pinnan kanssa muodostaen metallurgisen sidoksen. AMB tuottaa vahvimman kupari-keraaminen rajapinnan kaikista metallointitekniikoista, minkä vuoksi se on määritelty sovelluksissa, jotka vaativat äärimmäistä lämmönvaihteluiden kestävyyttä – ensisijaisesti SiC- ja GaN-tehomoduuleille sähköautojen inverttereissä.
Mitä eroa on AMB:llä ja DBC:llä?
DBC käyttää kuparioksidieutektista ainetta noin 1 065 °C:ssa kuparin ja keraamin liittämiseen – se toimii hyvin alumiinioksidin ja AlN:n kanssa. AMB käyttää aktiivista metallin juottamista 800–900 °C:ssa, mikä muodostaa kemiallisen sidoksen minkä tahansa keraamityypin, mukaan lukien Si₃N₄, kanssa. AMB saavuttaa korkeamman kuoriutumislujuuden, tukee paksumpaa kuparia (jopa 800 µm) ja tarjoaa 5–10 kertaa pidemmän lämpösyklien keston kuin DBC vastaavilla alustoilla. DBC on edelleen kustannustehokkaampi tavallisille IGBT-moduuleille, joilla on kohtalaiset syklien vaatimukset. Katso yksityiskohtaiset DBC-spesifikaatiot DBC-alustojen ominaisuuksistamme.
Miksi Si₃N₄ on AMB:n ensisijainen substraatti?
Si₃N₄:n murtolujuus on 2–3 kertaa alumiinioksidin ja AlN:n murtolujuus (700–1 000 MPa vs. 300–400 MPa). Yhdessä AMB:n vahvan sidoksen kanssa Si₃N₄ AMB -substraatit kestävät yli 30 000 lämpösykliä –55–+250 °C:n lämpötilassa – vaatimus, jota muut keraamiset substraatit eivät pysty luotettavasti täyttämään. Tämän kestävyyden vuoksi autovalmistajat määrittävät nyt Si₃N₄ AMB:n piikarbidivetoisille inverttereille yli 15 vuoden takuuvaatimuksilla.
Mitkä teollisuudenalat käyttävät AMB-keraamisia piirilevyjä?
Sähköautojen vetoinvertterit (SiC MOSFET -moduulit), teollisuusmoottorikäytöt, uusiutuvan energian muuntimet (aurinko- ja tuulienergia), rautateiden vetoelektroniikka ja erittäin luotettavat ilmailu- ja avaruustekniikan sähköjärjestelmät. Kaikki sovellukset, joissa tehotiheys ylittää 100 W/cm², lämpösyklien kesto ylittää 10 000 sykliä tai kuparin paksuus on yli 300 µm.
Mitä tiedostoja Highleap tarvitsee AMB-projektin tarjouksen tekemiseen?
Gerber-tiedostot (kuparikerrokset, ääriviivat, juotosmaski), valmistuspiirustukset, joissa määritetään keraaminen materiaali, alustan paksuus, kuparin paksuus, pinnanlaatu, mittatoleranssit sekä moduulisi täyttämät lämpösykli- tai luotettavuustestivaatimukset. Avaimet käteen -moduulikokoonpanoa varten lisää osaluettelo ja kokoonpanopiirustus. Tarjoamme DFM-tarkistuksen ja materiaalisuositukset teho- ja syklimääritystesi perusteella.
suositeltava Viestejä
TMM6-suodattimen piirilevyjen valmistus
SisällysluetteloMiksi mikroaaltouunien suodattimien suunnittelijat käyttävät...
Taconic RF 35 vs. RO4350B piirilevy
SisällysluetteloRF-35 vs. RO4350B Hankinta ja...
TMM4-suodattimen piirilevyjen valmistus
TMM4-suodattimen piirilevyjen valmistusta ohjaa...
TMM3-piirilevyjen valmistus RF-moduuleille
TMM3-piirilevyjen valmistus on hyödyllisintä siellä, missä RF-moduuli...
Kuinka saada tarjous piirilevyistä
Anna meidän suorittaa DFM/DFA-analyysi puolestasi ja palaamme sinulle raportin kera.
Voit ladata tiedostosi turvallisesti verkkosivustomme kautta.
Tarvitsemme seuraavat tiedot voidaksemme tehdä tarjouksen:
-
- Gerber, ODB++ tai .pcb, sp.
- Tuoteluettelo, jos tarvitset kokoonpanoa
- Määrä
- Käännä aika
