Výroba keramických desek plošných spojů s těžkou mědí AMB

Dva holé keramické substráty s tlustými měděnými vzory a pozlacenými panely, které prezentují pokročilou keramickou desku plošných spojů AMB.

Keramické desky plošných spojů AMB využívají aktivní kovové pájení k přímému spojení silné mědi s keramickými substráty – čímž vzniká nejsilnější rozhraní měď-keramika, jaké je dnes k dispozici ve výrobě. Proces pájení využívá slitinu Ag-Cu-Ti při teplotě 800–900 °C ve vakuu; aktivní titanový prvek smáčí keramický povrch a vytváří skutečnou metalurgickou vazbu, která přežívá i v režimech tepelných cyklů, kdy spoje DBC a DPC nakonec selhávají.

Tato pevnost spoje je důvodem, proč se AMB stala dominantní metalizační technologií pro keramické substráty z nitridu křemíku (Si₃N₄) – a proč je kombinace Si₃N₄ + AMB nyní standardní substrátovou platformou pro výkonové moduly SiC a GaN nové generace v trakčních střídačích pro elektromobily, průmyslových pohonech a systémech obnovitelných zdrojů energie.

Společnost Highleap Electronics vyrábí keramické desky plošných spojů AMB na substrátech Si₃N₄ a AlN s tloušťkou mědi od 0.15 mm do 0.8 mm, a to v kombinaci s našimi možnostmi montáže keramických desek plošných spojů a testování výkonových modulů.

Keramická deska plošných spojů AMB – klíčové specifikace

  • Pájecí slitina: Ag-Cu-Ti (pájení aktivním kovem při 800–900 °C ve vakuu)
  • Materiály podkladu: Si3N4 (primární), AlN, Al203
  • Tloušťka mědi: 0.15 mm až 0.8 mm na každou stranu
  • Pevnost spoje v odlupování: ≥20 N/cm² (pevnost Si₃N₄ AMB obvykle přesahuje 30 N/cm²)
  • Odolnost proti tepelným cyklům: Si₃N₄ AMB: více než 30 000 cyklů při –55 až +250 °C
  • Typické aplikace: Měniče SiC/GaN pro elektromobily, moduly IGBT, průmyslové pohony motorů, měniče z obnovitelných zdrojů energie

Získejte cenovou nabídku na keramické desky plošných spojů AMB →


Jak funguje proces AMB

Pájení aktivním kovem se zásadně liší od DBC. V DBC se měď váže na keramiku prostřednictvím eutektika oxidu mědi, které se tvoří při teplotě ~1 065 °C – keramika musí být oxid (oxid hlinitý) nebo mít povrch tvořící oxidy, aby DBC spolehlivě fungovala. To omezuje účinnost DBC na neoxidové keramice, jako je Si₃N₄.

AMB tento problém řeší zavedením aktivního kovu – titanu – do pájecí slitiny. Při teplotě pájení (800–900 °C) ve vakuu nebo inertní atmosféře reaguje titan přímo s keramickým povrchem a vytváří tenkou reakční vrstvu (obvykle TiN na Si₃N₄ nebo TiO na Al₂O₃), která je smáčena roztavenou pájkou Ag-Cu. Výsledkem je metalurgická vazba mezi mědí a keramikou, která nezávisí na tvorbě oxidů.

Postup výroby AMB:

Krok Proces Kritické parametry
1 Příprava keramického podkladu – čištění a kontrola povrchu Rovinnost povrchu, drsnost, kontrola bez vad
2 Umístění pájecí fólie — slitina Ag-Cu-Ti mezi měděnou fólií a keramikou Složení slitiny (obsah Ti typicky 1.5–5 %), rovnoměrnost tloušťky fólie
3 Vakuové pájení – vypalování při 800–900 °C ve vakuové peci Teplotní profil, úroveň vakua (<10⁻³ Pa), doba prodlevy, rychlost chlazení
4 Tvorba obvodů – fotolitografie a leptání měděné vrstvy Rovnoměrnost leptání, definice hran, minimální šířka stopy
5 Povrchová úprava a profilování – pokovování, laserové opracování Dokončit výběr (ENIG, tvrdé zlato, Ag), rozměrová tolerance
6 Zkoušení – pevnost v odlupování, tepelný šok, elektrické ověření Pevnost v odlupování ≥20 N/cm², procento pórů <2 % (rentgen), izolační odpor

AMB vs. DBC: Kdy je každá technologie tou správnou volbou

AMB není univerzální náhradou za DBC – je to upgrade pro aplikace, kde DBC dosahuje svých limitů spolehlivosti nebo tloušťky mědi. Výběr mezi nimi závisí na konkrétních konstrukčních omezeních.

Parametr DBC AMB
Mechanismus lepení Cu-O eutektikum při ~1 065 °C Ag-Cu-Ti pájení při 800–900 °C
Nejlepší keramické substráty Al₂O₃, AlN Si3N4 (primární), také AlN, Al203
Maximální tloušťka mědi ~600 µm ~800 µm
Odolnost při tepelných cyklech 3 000–8 000 cyklů (AlN DBC) 30 000+ cyklů (Si₃N₄ AMB)
Odlupovací síla 15–25 N/cm² 25–40 N/cm²
Stát Spodní 1.5–3× DBC
Nejlepší pro Standardní IGBT moduly, mírné cyklování, cenově dostupná výkonová elektronika SiC/GaN moduly, výkon pro automobilový průmysl, extrémní ΔT cyklování, měď >600 µm

Použijte DBC, když: váš výkonový modul používá substrát z oxidu hlinitého nebo AlN, požadavek na tepelné cyklování je pod ~5 000 cyklů a tloušťka mědi 600 µm nebo méně je dostatečná. Substráty AlN DBC zůstávají cenově výhodnou volbou pro IGBT moduly v průmyslových UPS, svářečkách a solárních střídačích s mírnými cyklickými profily.

Použijte AMB, pokud: konstrukce specifikuje substrát Si₃N₄ (DBC se nespojí spolehlivě s Si₃N₄), tepelná cyklická životnost přesahuje 10 000 cyklů, teplotní výkyv (ΔT) přesahuje 200 °C nebo je pro zacházení s proudem vyžadována tloušťka mědi nad 600 µm. Tyto podmínky platí pro většinu trakčních měničů SiC/GaN automobilové třídy a průmyslových pohonů nové generace.


Výběr substrátu pro keramické desky plošných spojů AMB

Si₃N₄ — dominantní substrát AMB pro automobilový průmysl a elektromobily

Lomová houževnatost nitridu křemíku (700–1 000 MPa) absorbuje termomechanické napětí generované roztažností silné mědi během tepelných cyklů. Kombinace Si₃N₄ a AMB důsledně splňuje požadavky AEC-Q100/Q200 na tepelné cykly pro automobilový průmysl – typicky –55 ​​až +175 °C po dobu 3 000+ výkonových cyklů a –55 až +250 °C po dobu 1 000+ tepelných cyklů. Tato úroveň spolehlivosti je nyní základním požadavkem pro dodavatele elektromobilů Tier 1, kteří specifikují SiC MOSFET moduly.

AlN — AMB pro nejvyšší tepelnou vodivost

Pokud je tepelná vodivost (170–200 W/m·K) důležitější než cyklická odolnost, nabízí AlN AMB nejlepší tepelnou cestu. AlN AMB se používá ve výkonných VF zesilovačích, některých průmyslových IGBT modulech a v aplikacích, kde odvod tepla dominuje konstrukčnímu rozpočtu. Nižší lomová houževnatost AlN (300–350 MPa) však znamená, že při stejném namáhání dosáhne limitů cyklické odolnosti dříve než Si₃N₄ – kompromisem je tepelný výkon versus mechanická odolnost.


Aplikace zvyšující poptávku po AMB

Trakční měniče pro elektromobily (moduly SiC MOSFET)

 

Největší hnací silou růstu pro keramické desky plošných spojů AMB. Zařízení SiC pracují při teplotách přechodu až 200 °C, což vyžaduje substráty, které odolávají výsledným tepelným cyklům po dobu 15 a více let životnosti vozidla. Si₃N₄ AMB je nyní standardní platformou substrátů pro 800V střídače pro elektromobily od předních výrobců automobilů.

Průmyslové motorové pohony a měniče obnovitelné energie

 

Měniče větrných turbín, solární invertory a vysoce výkonné průmyslové pohony s proměnnou frekvencí migrují z IGBT na SiC – což s sebou táhne poptávku po AMB. Keramické desky plošných spojů pro výkonovou elektroniku jsou rostoucím segmentem naší produkce.

Elektronika železniční trakce

 

Vysoce výkonné IGBT moduly v lokomotivních střídačích vyžadují pro vedení trakčních proudů měď o tloušťce 500–800 µm. Schopnost AMB spojovat měď až do tloušťky 800 µm – v kombinaci s odolností Si₃N₄ vůči vibracím – z ní činí specifikovanou technologii pro železniční výkonovou elektroniku nové generace.

Vysoce spolehlivé energetické moduly pro letecký a obranný průmysl

 

Kritická přeměna energie, kde je odolnost vůči tepelným cyklům a mechanická robustnost vůči vibracím nezbytná. Pokyny pro návrh keramických desek plošných spojů Pro tyto aplikace patří specifické techniky zvládání stresu AMB.

Návrhové aspekty pro substráty AMB

Keramické desky plošných spojů AMB vyžadují specifickou pozornost při návrhu, která se liší od praxe DBC a organických desek plošných spojů:

Geometrie měděného vzoru ovlivňuje spolehlivost. Velké izolované měděné ostrůvky s ostrými hranami vytvářejí koncentraci napětí během tepelného cyklování. Vyhněte se poměru stran měděných plošek přesahujícímu 5:1. Poloměry rohů na měděných ploškách by měly být ≥0.5 mm, aby se snížila koncentrace napětí. Pokyny pro návrh keramických desek plošných spojů podrobně popisují tato pravidla se specifickými rozměrovými prahovými hodnotami.

Vyvážená měď na obou stranách snižuje deformaci. Nestejná tloušťka mědi na horním a spodním povrchu vytváří asymetrické tepelné roztažné síly během pájení a během provozu, což vede k prohýbání substrátu. Vyvážená metalizace mědí – neboli řízený vzor mědi na zadní straně – udržuje substrát rovný během všech tepelných výkyvů.

Návrh pájeného spoje musí zohledňovat nesoulad CTE. Rozdíl CTE mezi Si₃N₄ (~3 ppm/°C) a vývody součástek nebo deskou plošných spojů systému (~17 ppm/°C pro FR4) generuje smykové napětí v pájených spojích během tepelného cyklování. V případech, kdy nelze nesouladu CTE zabránit, použijte kompatibilní propojovací vodiče (ohebné vodiče, pružinové kontakty) nebo podložní výplň.

Strategie montáže je zásadní. Keramika je křehká – šroubová montáž bez kovových pouzder a omezení utahovacího momentu způsobí praskání substrátu. Lepení nebo upínání s kompatibilními kontaktními ploškami eliminuje bodové zatížení. Naše konstrukční příručka pro keramické desky plošných spojů se zabývá způsoby selhání při montáži a jejich prevencí.


Výrobní kapacity Highleap AMB

Parametr Specifikace
Podkladové materiály Si₃N₄ (0.25, 0.32, 0.635 mm), AlN (0.38, 0.635, 1.0 mm)
Pájecí slitina Ag-Cu-Ti (obsah Ti 1.5–5 %, složení upraveno podle substrátu)
Tloušťka mědi 0.15 mm až 0.8 mm na každou stranu
Minimální trasování/prostor 0.3 mm / 0.3 mm
Pevnost v odlupování (kvalifikovaná) ≥20 N/cm² (Si₃N₄), ≥15 N/cm² (AlN)
Míra prázdnoty (rentgen) <2 % na plochu podložky
Povrchová úprava ENIG, tvrdé zlato, imerzní Ag, Ni-Au (kompatibilní s drátovým spojem)
Rozměrová tolerance ± 0.05 mm
Montážní služby Připevnění lisovacích nástrojů (pájení, slinuté stříbro), spojování drátů (Au, Al), SMT, selektivní povlakování
Certifikace ISO 9001, IATF 16949 (automobilový), ISO 13485 (lékařské)

Highleap Electronics — výroba a montáž keramických desek plošných spojů AMB

Vyrábíme keramické desky plošných spojů AMB na substrátech Si₃N₄ a AlN pro aplikace v výkonových modulech. Integrované funkce pro připojování čipů, spojování vodičů a cyklické testování napájení znamenají, že váš projekt AMB bude dokončen pod jednou střechou – od holého substrátu až po testovaný modul. Certifikace IATF 16949 pro automobilové programy.

Odešlete cenovou nabídku na váš návrh AMB →


Často kladené dotazy

Co je keramická deska plošných spojů AMB?

Keramická deska plošných spojů AMB (Active Metal Brazing) je deska plošných spojů, kde je měděná fólie spojena s keramickým substrátem pomocí aktivní pájecí slitiny – obvykle Ag-Cu-Ti – při teplotě 800–900 °C ve vakuu. Titan reaguje s keramickým povrchem a vytváří metalurgickou vazbu. AMB vytváří nejsilnější rozhraní měď-keramika ze všech metalizačních technologií, a proto je určena pro aplikace vyžadující extrémní odolnost vůči tepelným cyklům – především pro výkonové moduly SiC a GaN v elektromobilních střídačích.

Jaký je rozdíl mezi AMB a DBC?

DBC používá eutektikum oxidu mědi při teplotě ~1 065 °C k vazbě mědi s keramikou – funguje dobře na oxidu hlinitém a AlN. AMB používá aktivní kovové pájení při teplotě 800–900 °C, které vytváří chemickou vazbu s jakýmkoli typem keramiky, včetně Si₃N₄. AMB dosahuje vyšší pevnosti v odlupování, podporuje silnější měď (až 800 µm) a poskytuje 5–10× delší životnost v tepelných cyklech než DBC na ekvivalentních substrátech. DBC zůstává cenově výhodnější pro standardní IGBT moduly s mírnými požadavky na cyklování. Podrobné specifikace DBC naleznete v našich možnostech substrátů DBC.

Proč je Si₃N₄ preferovaným substrátem pro AMB?

Si₃N₄ má 2–3krát větší lomovou houževnatost než oxid hlinitý a AlN (700–1 000 MPa oproti 300–400 MPa). V kombinaci se silnou vazbou AMB vydrží substráty Si₃N₄ AMB více než 30 000 tepelných cyklů při teplotě –55 až +250 °C – což je požadavek, který jiné keramické substráty nemohou spolehlivě splnit. Tato odolnost je důvodem, proč nyní výrobci automobilů specifikují Si₃N₄ AMB pro trakční střídače SiC s požadavky na více než 15letou záruku.

V jakých odvětvích se používají keramické desky plošných spojů AMB?

Trakční střídače pro elektromobily (moduly SiC MOSFET), průmyslové pohony motorů, měniče obnovitelné energie (solární, větrná), elektronika pro železniční trakci a vysoce spolehlivé letecké energetické systémy. Je vhodná pro všechny aplikace, kde hustota výkonu přesahuje 100 W/cm², tepelná cyklická odolnost přesahuje 10 000 cyklů nebo tloušťka mědi přesahuje 300 µm.

Jaké soubory potřebuje Highleap k cenové nabídce projektu AMB?

Soubory Gerber (měděné vrstvy, obrys, pájecí maska), výrobní výkres specifikující keramický materiál, tloušťku substrátu, tloušťku mědi, povrchovou úpravu, rozměrové tolerance a požadavky na tepelné cyklování nebo testy spolehlivosti, které musí váš modul splňovat. Pro kompletní montáž modulu přidejte kusovník a montážní výkres. Poskytneme posouzení DFM a doporučení materiálů na základě vašich specifikací výkonu a cyklování.

získat okamžitou cenovou nabídku

doporučené příspěvky

Jak získat cenovou nabídku na PCB

Nechte nás provést analýzu DFM/DFA za vás a ozveme se vám s přehledem.

Své soubory můžete bezpečně nahrávat prostřednictvím našich webových stránek.

Abychom vám mohli poskytnout cenovou nabídku, potřebujeme následující informace:

    • Gerber, ODB++ nebo .pcb, spec.
    • Seznam kusovníků, pokud požadujete montáž
    • Množství
    • Čas otáčení
Kromě výroby desek plošných spojů nabízíme komplexní řadu elektronických služeb, včetně návrhu desek plošných spojů, montáže desek plošných spojů (PCBA) a řešení na klíč. Ať už potřebujete pomoc s prototypováním, ověřováním návrhu, získáváním komponent nebo hromadnou výrobou, poskytujeme komplexní podporu, abychom zajistili úspěch vašeho projektu. Pro služby PCBA poskytněte svůj kusovník (Bill of Materials) a jakékoli konkrétní pokyny k sestavení. Nabízíme také analýzu DFM/DFA pro optimalizaci vašich návrhů z hlediska vyrobitelnosti a montáže, což zajišťuje hladký výrobní proces.






    Rychlá poznámka: Náš tým vám krátce po odeslání zašle e-mail. Abyste měli jistotu, že obdržíte naši odpověď, laskavě doporučujeme kontrola složky s nevyžádanou poštou/spamem pokud nevidíte naši zprávu ve své schránce.